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PSMN2R8-40YSBX

Name: Nexperia PSMN2R8-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R8-40YSBX
Price: 1477 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN2R8-40YSBX

Fabricante N.º:

PSMN2R8-40YSBX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 160A

Hoja de datos:

PSMN2R8-40YSBX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$933	$9.330
	$621	$62.100
	$487	$243.500
	$421	$421.000
	$397	$595.500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-SO8-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	160 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	147 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	934665895115

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.