Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

PMX100UNZ

Name: Nexperia PMX100UNZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMX100UNZ
Price: 638 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-PMX100UNZ

Fabricante N.º:

PMX100UNZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8013 N-CH 20V 1.3A

Hoja de datos:

PMX100UNZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Nexperia PMX100UNZ

En existencias: 69

Existencias:: 69 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máxima: 72

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$638	$638
	$391	$3.910
	$308	$15.400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)
	$308	$4.620.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-0603-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	210 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	900 mV
Qg - Carga de puerta:	1.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	1 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	15000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	1 ns
Alias de las piezas n.º:	934662405317

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtrar documento:

Hoja de datos

PMX100UNZ Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables

Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables offer WLCSP and leadless DFN packages for mobile and portable applications. The Nexperia SSMOS packages provide an extremely small DFN solution in today's commonly used pitch size of 0.35mm. An ideal replacement solution where space is paramount, these ultra-small packages offer significant space efficiency while providing minimal effort on assembly adjustment. Available in both N-channel and P-channel, all parts are equipped with ESD protection of >2kV and with a high power capability of >1300mW.