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NVD5C454NT4G

Name: onsemi NVD5C454NT4G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVD5C454NT4G
Price: 2816 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVD5C454NT4G

Fabricante N.º:

NVD5C454NT4G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

Hoja de datos:

NVD5C454NT4G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.816	$2.816
	$1.832	$18.320
	$1.260	$126.000
	$1.044	$522.000
	$966	$966.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$966	$2.415.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	83 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	32 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	56 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	47 ns
Serie:	NVD5C454N
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	360 mg

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NVD5C454NT4G Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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