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NTP7D3N15MC

Name: onsemi NTP7D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP7D3N15MC
Price: 5163 CLP
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-NTP7D3N15MC

Fabricante N.º:

NTP7D3N15MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET TO220

Hoja de datos:

NTP7D3N15MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$2.576	$1.288.000
	$2.531	$2.531.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	101 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	53 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	166 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTP7D3N15MC
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors

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NTP7D3N15MC Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel and offer optimized switching performance. This MOSFET features a low reverse recovery charge (Qrr) and soft body diode for superior low-noise switching. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs provide high efficiency with lower switching spikes and electromagnetic interference (EMI). They improve the switching Figure of Merit (FOM). Typical applications include synchronous rectification for ATX/server/telecom power-supply units (PSUs), motor drives, uninterruptible power supplies (UPS), and micro solar inverters.