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NTB011N15MC

Name: onsemi NTB011N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB011N15MC
Price: 4116 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTB011N15MC

Fabricante N.º:

NTB011N15MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

Hoja de datos:

NTB011N15MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$4.116	$4.116
	$2.875	$28.750
	$2.462	$246.200
	$2.413	$1.206.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$2.363	$1.890.400

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	75.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	37 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	3.75 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTB011N15MC
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors

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NTB011N15MC Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.