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IQEH54NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH54NE2LM7UCGA
Price: 3427 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IQEH54NE2LM7UCGA

Fabricante N.º:

IQEH54NE2LM7UCGATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Ciclo de vida:

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	$2.218	$22.180
	$1.635	$163.500
	$1.366	$683.000
	$1.165	$1.165.000
	$1.114	$2.785.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$1.038	$5.190.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	406 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	540 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Serie:	OptiMOS 7
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	29 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	IQEH54NE2LM7UCG SP005927093

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.