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FDME1034CZT

Name: onsemi FDME1034CZT
Brand: onsemi
SKU: 512-FDME1034CZT
Price: 1187 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDME1034CZT

Fabricante N.º:

FDME1034CZT

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Complementary PowerTrench

Hoja de datos:

FDME1034CZT Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.187	$1.187
	$741	$7.410
	$486	$48.600
	$375	$187.500
	$310	$310.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$276	$1.380.000
	$246	$2.460.000
	$243	$6.075.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tipo de producto:	MOSFETs
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Serie:	FDME1034CZT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	1.7 ns, 16 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9 S, 7 S
Id - Corriente de drenaje continua:	3.4 A
Número de canales:	2 Channel
Paquete / Cubierta:	UMLP-6
Dp - Disipación de potencia :	1.3 W
Qg - Carga de puerta:	3 nC, 5.5 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	66 mOhms, 142 mOhms
Tiempo de subida:	2 ns, 4.8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	PowerTrench
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns, 33 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.5 ns, 4.7 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	700 mV, 600 mV
Peso de la unidad:	25,200 mg

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Hoja de datos

FDME1034CZT Hoja de datos

Models

FDME1034CZT Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542310399
ECCN:: EAR99

FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.