YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S 2.845En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 1.522En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 2.5A SOT-23S 1.720En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 1.634En existencias
6.000Se espera el 10-11-2026
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 11A 11mOhm SO-8 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 24mOhm TO-252 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 3.88mOhm TO-263 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 15.5A 11mOhm PMPAK5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 3.000

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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.7A 8.2mOhm PMPAK5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 8.4mOhm TO-252 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.8A 8.4mOhm PMPAK5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 20A 6.9mOhm SPPAK-5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -100V -3.4A 135mohm PMPAK-3x3 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17A 10mOhm PMPAK5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 16.1A 9.3mOhm PMPAK5x6X Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 12A 10.4mohm PMPAK-5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 7.8A 20mohm SO-8 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 43.3A 1.7mohm PMPAK5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si Reel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 24.7A 5mOhm PMPAK5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 3.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 19.5A 5mOhm PMPAK3x3 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 17.7A 9.5mohm PMPAK5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 21.5A 4.2mohm PMPAK-3x3 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 60A 0.85mohm PMPAK-5x6 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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