SIHG110N65SF-GE3
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
78-SIHG110N65SF-GE3
SIHG110N65SF-GE3
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
En existencias: 364
-
Existencias:
-
364 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $5.410 | $5.410 | |
| $3.573 | $35.730 | |
| $2.800 | $280.000 | |
| $2.486 | $1.243.000 | |
| $2.128 | $2.128.000 | |
| $2.005 | $5.012.500 |
Hoja de datos
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
