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IRFZ40PBF

Name: Vishay IRFZ40PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFZ40PBF
Price: 2990 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

844-IRFZ40PBF

Fabricante N.º:

IRFZ40PBF

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

Hoja de datos:

IRFZ40PBF Hoja de datos

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	$2.990	$2.990
	$1.456	$14.560
	$1.366	$136.600
	$1.277	$638.500
	$1.266	$1.266.000
	$1.210	$2.420.000
	$1.142	$5.710.000
	$1.131	$11.310.000
25.000	Presupuesto

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IRFZ40PBF-BE3

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$3.573

Mín.:

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Fabricante:

Vishay / Siliconix

Fabricante N.º:

IRFZ40PBF-BE3

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	67 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	92 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	110 ns
Serie:	IRFZ
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	IRFZ40PBF-BE3
Peso de la unidad:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7