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IRFR9014PBF

Name: Vishay IRFR9014PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR9014PBF
Price: 1680 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

844-IRFR9014PBF

Fabricante N.º:

IRFR9014PBF

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

Hoja de datos:

IRFR9014PBF Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR9014TRLPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.318

Mín.:

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR9014TRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.254

Mín.:

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR9014PBF-BE3

Embalaje:

Bulk

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.251

Mín.:

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Vishay Semiconductors

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Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	500 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	63 ns
Serie:	IRFR/U
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	9.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3