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TPH7R506NH,L1Q

Name: Toshiba TPH7R506NH,L1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH7R506NHL1Q
Price: 1635 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TPH7R506NHL1Q

Fabricante N.º:

TPH7R506NH,L1Q

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET

Hoja de datos:

TPH7R506NH,L1Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.635	$1.635
	$1.299	$12.990
	$895	$89.500
	$775	$387.500
	$716	$716.000
	$661	$1.652.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$595	$2.975.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	55 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	31 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVIII-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.4 ns
Serie:	TPH7R506NH
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns
Peso de la unidad:	83 mg

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Hoja de datos

TPH7R506NH,L1Q Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Material Composition Data

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Washing/Drying Machine Applications

Toshiba Washing/Drying Machine Applications are a group of products designed for efficiency in washer and dryer applications. The devices include the TB6575FNG Toshiba CMOS Integrated Circuit for sensorless commutation and PWM current control for 3-phase full-wave BLDC motors. The TA75S393F Single Voltage Comparator is designed to operate from a single power supply. The TPH7R506NH Silicon N-channel MOSFET is fabricated with the latest Gen-8 trench MOS process to improve the efficiency of power supplies.