SSM6P816R,LF

Toshiba
757-SSM6P816RLF
SSM6P816R,LF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.