CSD87502Q2

Texas Instruments
595-CSD87502Q2
CSD87502Q2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

Modelo ECAD:
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Empaque:
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Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$560 $560
$351 $3.510
$282 $28.200
$270 $135.000
$254 $254.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$234 $702.000
$230 $1.380.000
$223 $2.007.000
$222 $5.328.000
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$1.176
Mín.:
1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-FET-6
N-Channel
2 Channel
30 V
5 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 75 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 11 ns
Serie: CSD87502Q2
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 12 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3 ns
Peso de la unidad: 9,700 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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