CSD83325LT

Texas Instruments
595-CSD83325LT
CSD83325LT

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

Modelo ECAD:
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$2.173 $2.173
$1.378 $13.780
$921 $92.100
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$921 $230.250
$755 $377.500
$661 $661.000
$607 $1.517.500
$551 $2.755.000
$545 $5.450.000
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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$515
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
BGA-6
N-Channel
2 Channel
12 V
8 A
5.9 mOhms
- 10 V, 10 V
950 mV
8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 589 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 36 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 353 ns
Serie: CSD83325L
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 711 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 205 ns
Peso de la unidad: 1,500 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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