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CSD25404Q3T

Name: Texas Instruments CSD25404Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25404Q3T
Price: 1910 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD25404Q3T

Fabricante N.º:

CSD25404Q3T

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD25404Q3

Hoja de datos:

CSD25404Q3T Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

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MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.910	$1.910
	$1.280	$12.800
	$578	$57.800
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$578	$144.500
	$558	$279.000

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD25404Q3

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.585

Mín.:

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Texas Instruments

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CSD25404Q3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch MOSFET A 595 -CSD25404Q3T A 595- A 595-CSD25404Q3T

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	104 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	650 mV
Qg - Carga de puerta:	10.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	96 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	47 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	CSD25404Q3
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Peso de la unidad:	44,500 mg

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SPICE Models

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.