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CSD22206WT

Name: Texas Instruments CSD22206WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22206WT
Price: 1910 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD22206WT

Fabricante N.º:

CSD22206WT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.910	$1.910
	$1.221	$12.210
	$609	$60.900
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$609	$152.250
	$566	$283.000

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD22206W

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.054

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD22206W

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DSBGA-9
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	8 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	700 mV
Qg - Carga de puerta:	14.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	45 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Serie:	CSD22206W
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	118 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	37 ns
Peso de la unidad:	200 mg

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CSD22206W TINA-TI Reference Design

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs is a –8V, 4.7mΩ, 1.5mm×1.5mm device that is designed to deliver low on-resistance and gate charge in a small package. The device provides the smallest outline possible with excellent thermal characteristics. The low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications.