CSD18536KCS

Texas Instruments
595-CSD18536KCS
CSD18536KCS

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.150 $5.150
$2.688 $26.880
$2.678 $267.800
$2.432 $1.216.000
$2.196 $2.196.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
349 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 312 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: CSD18536KCS
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 24 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99