CSD17577Q5A

Texas Instruments
595-CSD17577Q5A
CSD17577Q5A

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q5AT

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 2.758

Existencias:
2.758 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.266 $1.266
$780 $7.800
$511 $51.100
$404 $202.000
$365 $365.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$325 $812.500
$283 $1.415.000
$273 $2.730.000
$271 $6.775.000
† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$2.296
Mín.:
1

Producto similar

Texas Instruments CSD17577Q5AT
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
83 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 79 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 12 ns
Serie: CSD17577Q5A
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 18 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3 ns
Peso de la unidad: 88,300 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.