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CSD17483F4

Name: Texas Instruments CSD17483F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17483F4
Price: 374 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17483F4

Fabricante N.º:

CSD17483F4

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A A 595-CSD17483F4T

Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$374	$374
	$232	$2.320
	$147	$14.700
	$109	$54.500
	$96,5	$96.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$80,7	$242.100

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD17483F4T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.359

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD17483F4T

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PICOSTAR-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	240 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	650 mV
Qg - Carga de puerta:	1.01 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	FemtoFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.3 ns
Serie:	CSD17483F4
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.3 ns
Peso de la unidad:	0,400 mg

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USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

CSD17483F4 FemtoFET MOSFET

Texas Instruments CSD17483F4 FemtoFET MOSFET is built using FemtoFET technology and is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.