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TSM60NE160CE RVG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NE160CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NE160CERVG
Price: 1901 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

821-TSM60NE160CERVG

Fabricante N.º:

TSM60NE160CE RVG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	21 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	160 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	173 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	70 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	47 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	31 ns
Peso de la unidad:	200 mg

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Hoja de datos

TSM60NE160CE RVG Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.