STW58N65DM2AG

STMicroelectronics
511-STW58N65DM2AG
STW58N65DM2AG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Modelo ECAD:
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En existencias: 454

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$13.541 $13.541
$11.021 $110.210
$9.184 $918.400
$6.686 $4.011.600

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
48 A
65 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
88 nC
- 55 C
+ 150 C
360 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7.7 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 31 ns
Serie: STW58N65DM2AG
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 157 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 28 ns
Peso de la unidad: 6 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.