STP80NF12

STMicroelectronics
511-STP80NF12
STP80NF12

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120 Volt 80 Amp

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.125 $3.125
$1.221 $12.210
$1.131 $113.100
$997 $498.500
$967 $967.000
$963 $1.926.000
$931 $4.655.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
120 V
80 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
189 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
STripFET
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 115 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 80 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 145 ns
Serie: STP80NF12
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 134 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 40 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99