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STL13N60M2

Name: STMicroelectronics STL13N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60M2
Price: 693 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STL13N60M2

Fabricante N.º:

STL13N60M2

Fabricante:

STMicroelectronics

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	$678	$4.068.000
	$677	$6.093.000

Fabricante:

STMicroelectronics

Fabricante N.º:

STL13N60M6

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-5x6-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	420 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	17 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	55 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	9.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	STL13N60M2
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	76 mg