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STI55NF03L

Name: STMicroelectronics STI55NF03L
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STI55NF03L
Price: 1943 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STI55NF03L

Fabricante N.º:

STI55NF03L

Fabricante:

STMicroelectronics

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Fin de vida útil:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-262-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	55 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 60 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	80 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	50 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	400 ns
Serie:	STI55NF03L
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28 ns
Peso de la unidad:	2,387 g