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RoHS

Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

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BUZ11A

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Mouser N.º:

511-BUZ11A

Fabricante N.º:

BUZ11A

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Obsoleto

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:	N
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	26 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	55 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	75 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	20 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	95 ns
Serie:	BUZ11
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Peso de la unidad:	2 g