Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

BUK7Q8R4-40HJ

Name: Nexperia BUK7Q8R4-40HJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK7Q8R4-40HJ
Price: 874 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-BUK7Q8R4-40HJ

Fabricante N.º:

BUK7Q8R4-40HJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q8R4-40H/SOT8002/MLPAK33

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

BUK7Q8R4-40HJ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Nexperia BUK7Q8R4-40HJ

En existencias: 350

Existencias:: 350 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$874	$874
	$539	$5.390
	$522	$26.100
	$348	$34.800
	$265	$132.500
	$240	$240.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$204	$612.000
	$187	$1.122.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MLPAK33-WF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	57 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	51 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.7 ns
Alias de las piezas n.º:	9.3467E+11

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

BUK7Q8R4-40HJ Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000

BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Nexperia BUK7Q N-Channel MOSFETs in an MLPAK33-WF Package (SOT8002-3D) use Trench 9 technology. Qualified to meet AEC-Q101 requirements at 175°C, they offer a small footprint for compact designs. Nexperia BUK7Q has side-wettable flanks that provide robust solder joints and automated optical inspection.