+52 33 3612 7301

Parte de la familia de especialistas de TTI Contactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301 Comentarios

Cambiar ubicación

En existencias

RoHS

Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

APT38F80B2

Name: Microchip APT38F80B2
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APT38F80B2
Price: 16533 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

494-APT38F80B2

Fabricante N.º:

APT38F80B2

Fabricante:

Microchip Technology

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Existencias:: 141 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$16.533	$16.533
	$14.278	$1.427.800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	41 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	190 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	260 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.04 kW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	60 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	38 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	65 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	200 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	46 ns
Peso de la unidad:	6 g