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BSS192PH6327FTSA1

Name: Infineon BSS192PH6327FTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS192PH6327FTSA
Price: 768 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSS192PH6327FTSA

Fabricante N.º:

BSS192PH6327FTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -190mA SOT-89-3

Hoja de datos:

BSS192PH6327FTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$768	$768
	$485	$4.850
	$326	$32.600
	$258	$129.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$163	$163.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BSS192P H6327

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$788

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-89-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	250 V
Id - Corriente de drenaje continua:	190 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.7 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	6.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	50 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	190 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.2 ns
Serie:	BSS192
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	72 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.7 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS192P H6327 SP001047642
Peso de la unidad:	130,500 mg

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Models

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 250V P-Channel (Cierre)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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