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BSS126IXTSA1

Name: Infineon BSS126IXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS126IXTSA1
Price: 368 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSS126IXTSA1

Fabricante N.º:

BSS126IXTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Hoja de datos:

BSS126IXTSA1 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$368	$368
	$225	$2.250
	$141	$14.100
	$100	$50.000
	$85,9	$85.900
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$71,6	$214.800
	$63,4	$380.400
	$54,2	$487.800
	$52,1	$1.250.400

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	21 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	500 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Qg - Carga de puerta:	1.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Depletion
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	115 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.008 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.1 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS126I SP005425148
Peso de la unidad:	8 mg

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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