BSG0811NDATMA1
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ | ||
| $3.013 | $3.013 | |
| $1.994 | $19.940 | |
| $1.445 | $144.500 | |
| $1.198 | $599.000 | |
| $1.176 | $2.940.000 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| $973 | $4.865.000 | |
Embalaje alternativo
Hoja de datos
Application Notes
- Application Note Introduction to Infineons Power MOSFET Simulation Models (PDF)
- Application Note Linear Mode Operation and SOA Power MOSFETs (PDF)
- Application Note Some key facts about avalanche (PDF)
- Buck converters negative spike at phase node (PDF)
- MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis (Cierre)
- MOSFET OptiMOS™ datasheet explanation (PDF)
- MOSFET OptiMOS™ selection for DC-DC converters (PDF)
Other
Product Catalogs
SPICE Models
Technical Resources
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Chile
