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IXFH120N15P

Name: IXYS IXFH120N15P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH120N15P
Price: 8931 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFH120N15P

Fabricante N.º:

IXFH120N15P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

Hoja de datos:

IXFH120N15P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	150 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	600 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	26 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	42 ns
Serie:	IXFH120N15P
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	85 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33 ns
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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