Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 40V, dual 3A Power Shottky Rectifier
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9.936En existencias
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: 6.000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
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3.553En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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3.052En existencias
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: 2.500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK
STMicroelectronics Rectificadores RECTIFIER
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6.945En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
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3.610En existencias
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: 1.000

Rectifiers SMD/SMT D2-PAK
STMicroelectronics Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
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2.703En existencias
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Rectifiers SMD/SMT D2-PAK
STMicroelectronics Rectificadores Ultrafast recovery 1200 V diode
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2.448En existencias
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Rectificadores RECTIFIER
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848En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-247
STMicroelectronics Rectificadores RECTIFIER
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778En existencias
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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5.461En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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2.924En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
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672En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
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914En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
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565En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
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574En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
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599En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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478En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Triacs Hi temp 20A Triacs
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4.894En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics Triacs 25 A - 800 V - T-Series Triac in TO-220AB insulated
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13.717En existencias
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Triacs
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 600 Volt
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6.337En existencias
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Triacs SMD/SMT DPAK
STMicroelectronics Triacs 8A 800V 150°C D²PAK Logic Level T-Series Triac
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10.596En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK-4
STMicroelectronics SCR 25 Amp 600 Volt
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1.846En existencias
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: 1.000

SCRs SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
STMicroelectronics SCR High temperature 50A SCR
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1.895En existencias
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SCRs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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800En existencias
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
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545En existencias
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IGBT Transistors