Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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127En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
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2.794En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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1.140En existencias
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: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
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438En existencias
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Min.: 1
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: 400

IGBTs Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
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400En existencias
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Min.: 1
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: 200

IGBTs Si SMD/SMT ACEPACK-9
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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994En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-7
STMicroelectronics Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
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136En existencias
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MOSFET Modules Si Press Fit SDIP2B-26
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
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3.026En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET
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2.980En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

MOSFETs SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
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1.770En existencias
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: 1.800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-LL-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 15 mOhm typ., 56 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package
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782En existencias
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MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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1.191En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
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2.028En existencias
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: 600

SiC Schottky Diodes SMD/SMT HU3PAK-9
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
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5.297En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT SMBF-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
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4.990En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT SMBF-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 80 A Trench Schottky Diode
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3.464En existencias
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Min.: 1
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: 600

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT HU3PAK
STMicroelectronics Rectificadores en puente Automotive 600V, 120A Ultrafast Bridge Module
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247En existencias
Min.: 1
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: 200

Bridge Rectifiers SMD/SMT ECOPACK2-9
STMicroelectronics SCR 40A 800V High Temperature SCR in TO-220 Non insulated package
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1.975En existencias
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SCRs Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics SCR 80 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor in TOP-3I
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572En existencias
Min.: 1
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SCRs
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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20En existencias
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: 120

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
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2.200En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5


STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 40A power Schottky High Surge silicon carbide diode
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200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
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33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Through Hole ACEPACK2
STMicroelectronics Triacs 12 Amp 600 Volt
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1.691En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 100

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5