Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 64 V TVS
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1.344En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 30 V TVS in SMC
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1.890En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
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2.098En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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2.265En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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960En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
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1.544En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
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299En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics Módulos de Potencia Inteligentes - IPMs SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 6 A, 600 V, short-circuit rugged I
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321En existencias
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Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole N2DIP-26L
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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958En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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2.784En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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2.867En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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835En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 520V Zener SuperMESH
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789En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2x5A 120V
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2.881En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Hi Vltg Pwr SCHOTTKY RECTIFIER
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1.874En existencias
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: 1.000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Low drop power Schottky rectifier
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1.981En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT PowerFLAT
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky schottky diode
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2.154En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Power Schottky Rectifier
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1.734En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100V 30A
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2.146En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod
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619En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores Automotive 600 V, 2 A Turbo 2 Ultrafast Diode
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3.954En existencias
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Rectifiers SMD/SMT SMBFlat

STMicroelectronics Rectificadores Auto Turbo 2 AECQ101 5A 600VR 1.5VF 35ns
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3.394En existencias
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: 2.500

Rectifiers SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores 600 V, 60 A Turbo 2 Soft Ultrafast Recovery Diode
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550En existencias
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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765En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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393En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3