Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 600 Volt
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1.691En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics SCR 8.0 Amp 600 Volt
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2.340En existencias
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: 2.500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
STMicroelectronics SCR 8.0 Amp 600 Volt
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2.772En existencias
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SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
STMicroelectronics SCR 16 Amp 600 Volt
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2.365En existencias
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SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics SCR 1.25 Amp 600 Volt
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9.323En existencias
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: 2.000

SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V Uni
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1.033En existencias
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: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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Comentarios de Producto
2.425En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 600 W, 14.1 V TVS in SMB
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2.639En existencias
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: 2.500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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198En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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74En existencias
1.000Se espera el 30-10-2026
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: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
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1.156En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Auto pwr Schottky 2 x 10A 54V 0.57VF
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382En existencias
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: 1.000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores Turbo2 ultrafast High Volt Rec SMPS
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511En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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227En existencias
1.000Se espera el 29-01-2027
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs Sensitive 10 A High Temperature
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811En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs Overvoltage Triac Static dV/dt >2000 V
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262En existencias
2.000Se espera el 27-08-2026
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Triacs Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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153En existencias
3.000Se espera el 24-08-2026
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mOhm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in
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2.840En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Triacs Triac Crowbar 10mA Switch 2A 800V
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1.643En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3 FP

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
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368En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si
STMicroelectronics Rectificadores Automotive 600 V, 30 A Soft Ultrafast Diode
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263En existencias
1.200Se espera el 08-09-2026
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Rectifiers Through Hole DO-247-2


STMicroelectronics Rectificadores 600 V, 8 A Ultrafast Boost Diode
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64En existencias
5.000Se espera el 23-10-2026
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: 2.500

Rectifiers SMD/SMT
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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7En existencias
600Se espera el 19-02-2027
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: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 13 V TVS in SMC
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1.949En existencias
2.500Se espera el 07-09-2026
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: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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1.518En existencias
2.500En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)