Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP pac
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117En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs 6 Amp 600 Volt
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs 6 Amp 600 Volt
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
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2.434En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
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2.396En existencias
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SMC (DO-214AB)


STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 40 V TVS in SMC
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1.960En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 220V Unidirect
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8.156En existencias
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 6.0V Unidirect
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
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5.329En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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788En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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2.014En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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374En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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1.567En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
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634En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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728En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 1A 100V HI VLTG PWR
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15.607En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DO-222AA-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky POWER MOSFET
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3.219En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores ULTRAFAST RECOVERY DIODE
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9.682En existencias
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Rectifiers SMD/SMT SMB
STMicroelectronics Rectificadores Automotive Ultrafast recovery diode
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8.261En existencias
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: 3.000

Rectifiers SMD/SMT SOD128-Flat-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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2.891En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Triacs 30 A - 600 V - 150 °C H-series Triacs
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: 1.000

Triacs SMD/SMT D2PAK-3