Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.954
2.833 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2.833 En existencias
1
$3.954
10
$1.998
100
$1.514
500
$1.315
1.000
$1.294
5.000
$1.199
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
P-Channel
1 Channel
150 V
22 A
160 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
46 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
BSC050N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.155
14.647 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
14.647 En existencias
1
$3.155
10
$1.567
100
$1.220
500
$1.073
1.000
Ver
5.000
$929
1.000
$1.040
2.500
$1.036
5.000
$929
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.461
48.855 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
48.855 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.461
10
$1.578
100
$1.073
500
$853
5.000
$700
10.000
Ver
1.000
$766
2.500
$753
10.000
$676
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
133 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.987
23.285 En existencias
35.000 Se espera el 24-12-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
23.285 En existencias
35.000 Se espera el 24-12-2026
1
$2.987
10
$1.946
100
$1.325
500
$1.083
5.000
$909
10.000
Ver
1.000
$1.062
10.000
$902
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.692
4.820 En existencias
5.000 Se espera el 10-09-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
4.820 En existencias
5.000 Se espera el 10-09-2026
1
$2.692
10
$1.704
100
$1.157
500
$931
1.000
Ver
5.000
$750
1.000
$834
2.500
$818
5.000
$750
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
33 A
36 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1:
$1.273
121.148 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
121.148 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.273
10
$902
100
$562
500
$387
5.000
$249
10.000
Ver
1.000
$326
2.500
$292
10.000
$232
25.000
$211
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
81 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.293
4.874 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4.874 En existencias
1
$2.293
10
$1.325
100
$944
500
$787
5.000
$608
10.000
Ver
1.000
$693
2.500
$685
10.000
$568
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
45 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
17.4 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC066N06NS
Infineon Technologies
1:
$1.430
9.165 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC066N06NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
9.165 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.430
10
$883
100
$582
500
$456
5.000
$316
10.000
Ver
1.000
$402
2.500
$354
10.000
$303
25.000
$298
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
64 A
6.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
46 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1:
$2.692
4.806 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4.806 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.692
10
$1.725
100
$1.178
500
$995
1.000
Ver
5.000
$801
1.000
$881
2.500
$834
5.000
$801
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.220
9.064 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
9.064 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.220
10
$558
100
$418
500
$357
5.000
$283
10.000
Ver
1.000
$318
2.500
$316
10.000
$255
25.000
$242
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.934
9.726 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
9.726 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.934
10
$1.883
100
$1.283
500
$1.094
1.000
Ver
5.000
$875
1.000
$962
2.500
$911
5.000
$875
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
75 V
159 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
63.4 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.713
3.510 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
3.510 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.713
10
$1.746
100
$1.188
500
$1.003
1.000
Ver
5.000
$808
1.000
$889
2.500
$840
5.000
$808
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
75 V
100 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.177
2.747 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
2.747 En existencias
1
$2.177
10
$1.388
100
$936
500
$742
5.000
$571
10.000
Ver
1.000
$647
2.500
$637
10.000
$528
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.988
20.566 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
20.566 En existencias
1
$1.988
10
$1.241
100
$846
500
$668
5.000
$489
10.000
Ver
1.000
$568
10.000
$476
25.000
$464
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
130 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V
IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.671
2.595 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L11AAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V
2.595 En existencias
1
$2.671
10
$1.725
100
$1.178
500
$937
1.000
Ver
5.000
$800
1.000
$892
2.500
$874
5.000
$800
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
11.2 mOhms
- 16 V, 16 V
1.2 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC009NE2LS
Infineon Technologies
1:
$2.377
4.909 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
4.909 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.377
10
$1.514
100
$699
5.000
$654
10.000
$651
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
168 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
BSC084P03NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.082
9.010 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC084P03NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
9.010 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.082
10
$1.283
100
$846
500
$665
5.000
$456
10.000
Ver
1.000
$568
2.500
$515
10.000
$441
25.000
$432
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
P-Channel
1 Channel
30 V
78.6 A
6.1 mOhms
- 25 V, 25 V
3.1 V
57.7 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6L012ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.493
3.613 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L012
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
3.613 En existencias
1
$2.493
10
$1.546
100
$1.094
500
$866
5.000
$670
10.000
Ver
1.000
$778
2.500
$766
10.000
$634
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.29 mOhms
- 16 V, 16 V
1.6 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.935
4.017 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4.017 En existencias
1
$1.935
10
$1.136
100
$816
500
$649
5.000
$494
10.000
Ver
1.000
$548
10.000
$447
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
15.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC12DN20NS3G
Infineon Technologies
1:
$2.314
2.950 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC12DN20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
2.950 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.314
10
$1.483
100
$999
500
$795
1.000
Ver
5.000
$655
1.000
$703
2.500
$691
5.000
$655
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
11.3 A
108 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
8.7 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.966
2.220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N010
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
2.220 En existencias
1
$2.966
10
$1.725
100
$1.325
500
$1.083
5.000
$845
10.000
Ver
1.000
$1.011
2.500
$978
10.000
$826
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.03 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.378
8.641 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSGATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
8.641 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.378
10
$854
100
$570
500
$444
5.000
$330
10.000
Ver
1.000
$368
10.000
$296
25.000
$282
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1:
$1.988
9.066 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
9.066 En existencias
1
$1.988
10
$1.083
100
$791
500
$664
5.000
$508
10.000
Ver
1.000
$570
2.500
$559
10.000
$453
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
12.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.946
14.593 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S412AATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
14.593 En existencias
1
$1.946
10
$1.094
100
$782
500
$654
5.000
$500
10.000
Ver
1.000
$555
10.000
$486
25.000
$453
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
12.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.114
19.895 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
19.895 En existencias
1
$2.114
10
$1.388
100
$1.125
500
$1.017
1.000
Ver
5.000
$803
1.000
$956
2.500
$923
5.000
$803
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape