Chile
JDV2S41AFS,L3M
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
757-JDV2S41AFSL3M
JDV2S41AFS,L3M
Fabricante:
Descripción:
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- TARIC:
- 8541100000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Tailandia
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
En existencias: 14.900
-
Existencias:
-
14.900Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
En pedido:
-
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
17Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $1.994 | $1.994 | |
| $1.230 | $12.300 | |
| $815 | $81.500 | |
| $640 | $320.000 | |
| $547 | $547.000 | |
| $496 | $1.240.000 | |
| $440 | $2.200.000 | |
| $425 | $4.250.000 | |
| $415 | $10.375.000 |