Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Hoja de datos
5.252En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Hoja de datos
7.835En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
3.565En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 3.3V 32Mb Memoria RAM magnetorresistiva with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
Hoja de datos
1.667En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
252Se espera el 09-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SPI 4 Mbit M3004401 Reel
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

SPI 4 Mbit M3004401 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3008204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1.008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel