+ 105 C Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.350
Mult.: 135

TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.350
Mult.: 135
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 16Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 16Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.350
Mult.: 135

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.350
Mult.: 135
TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXOBB320ES2R
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000
BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel


Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXOBB320ES2T
Hoja de datos
Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 960
Mult.: 480

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBB313ES2R
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000
BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel


Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBB313ES2T
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 960
Mult.: 480

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel