200 MHz DRAM

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Ancho de bus de datos
Frecuencia de reloj máxima
Paquete / Cubierta
Organización
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Hoja de datos
553En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Hoja de datos
2.509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Hoja de datos
1.152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
1.646En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Winbond DRAM 64Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V
Hoja de datos
4.479En existencias
1En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C W956A8MBYA Tray
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Hoja de datos
143En existencias
4.800Se espera el 16-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
636En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC)
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Hoja de datos
844En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Hoja de datos
426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V
Hoja de datos
480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R
Hoja de datos
2.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2.000

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Winbond DRAM 256Mb DDR SDRAM x16, 200Mhz, Ind temp
Hoja de datos
860En existencias
436Se espera el 21-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C W9425G6KH Tray
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
Hoja de datos
1.195En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x32, 200MHz
Hoja de datos
73En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz VFBGA-90 16 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C W949D2DB Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Hoja de datos
142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Hoja de datos
34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Automotive Temp - Tray
Hoja de datos
101En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V 144 BGA 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
Hoja de datos
159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 2 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A)
Hoja de datos
189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 4 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M16D1A Tray
AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
Hoja de datos
7.071En existencias
9.600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
Hoja de datos
3.665En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
3.687En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Hoja de datos
885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C