968-RJK0355DSP-00 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 30V 12A 11.1mohm SOP-8
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Envase tipo carrete
$639
$635
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 30 V 12 A 11.1 mOhms 20 V 6 nC + 150 C 1.8 W Enhancement Reel

Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 30V 16A 7mohm SOP-8
Hoja de datos
2.182En existencias
Cinta cortada
$2.586
$1.253
$1.120
$892
$836
Envase tipo carrete
$751
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms 20 V 12 nC + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape