2.1 V Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K 4.528En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A 794En existencias
20.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K 1.925En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS-SINGLE 1.509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 5.3A 2.271En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 5.574En existencias
10.000Se espera el 21-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.450
: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K 153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K 2.272En existencias
3.000Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K 131En existencias
18.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V TO252 T&R 2.5K 2.145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 2.500
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 157En existencias
5.000Se espera el 01-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 5En existencias
80.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 357En existencias
5.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 1.052En existencias
100.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 91En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 53En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 1.865En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 3.006En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F 2.304En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F 1.536En existencias
6.000Se espera el 01-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 98En existencias
4.890Se espera el 02-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AKS/SOT363/SC-88 2.612En existencias
60.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AK/SOT23/TO-236AB 53.957En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK962R5-60E/SOT404/D2PAK 330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK965R8-100E/SOT404/D2PAK 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800