2.1 V Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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671En existencias
3.000Se espera el 19-02-2027
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B
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2.280En existencias
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Central Semiconductor GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
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2.500En existencias
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN012-60HL/SOT1205/LFPAK56D
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1.104En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
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35En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
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284En existencias
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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6.594En existencias
9.000Se espera el 27-08-2026
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.990En existencias
3.000Se espera el 20-01-2027
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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16.082En existencias
36.000Se espera el 21-10-2026
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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4.167En existencias
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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4.373En existencias
3.000En pedido
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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5.680En existencias
12.000Se espera el 21-04-2027
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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4.618En existencias
3.000Se espera el 04-09-2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
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3.787En existencias
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Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
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22En existencias
5.900En pedido
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Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET
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2.500Se espera el 28-08-2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A
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36En existencias
2.500Se espera el 04-08-2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS-SINGLE
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1.255En existencias
3.000Se espera el 23-11-2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
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206En existencias
2.500Se espera el 14-04-2027
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