Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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IPD053N06NATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -80A TO220-3
SPP80P06PHXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ
TPHR9203PL1,LQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R0-60EL/SOT669/LFPAK
BUK9Y7R0-60ELX
Nexperia
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
SPA06N80C3XKSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-SPA06N80C3XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
SPA11N60C3
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N.º de artículo de Mouser 726-SPA11N60C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
NVMFS4C306NT1G
onsemi
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NRND
N.º de artículo de Mouser 698-NVMFS4C306NT1G
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
1.425 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA80R310CEXKSA2
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N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R310CEXKSA2
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
SPB20N60C3
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NRND
N.º de artículo de Mouser 726-SPB20N60C3
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
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BSP373NH6327XTSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-BSP373NH6327XTSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
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BSP613PH6327XTSA1
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N.º de artículo de Mouser 726-BSP613PH6327XTSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
1.728 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06N
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB057N06N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
504 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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6.000 Se espera el 01-10-2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
159 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S222ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPD30N08S222ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
1.146 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPD650P06NMATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPD650P06NMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
1.329 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06N
Infineon Technologies
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369 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPI029N06N
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
369 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1:
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376 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
376 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.239
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
SPP08N80C3
Infineon Technologies
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116 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-SPP08N80C3
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
116 En existencias
Embalaje alternativo
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
SSM3K7002KFU,LXH
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K7002KFULXH
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
671 En existencias
3.000 Se espera el 07-09-2026
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Chile
