Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
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2N7002 TR TIN/LEAD
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
SPA17N80C3XK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
SSM6K388R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B
SSM6K389R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
NVTFS4C13NETAG
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GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA
GAN7R0-150LBEZ
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GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
NVMFS4C306NET1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPB012N04NF2SATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPF009N04NF2SATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPF016N06NF2SATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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IPTC012N06NM5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
GANE3R9-150QBAZ
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Nexperia
GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D
PSMN6R1-40HLX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
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SPW47N60C3
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-SPW47N60C3
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJA3406_R1_00001
Panjit
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N.º de artículo de Mouser 241-PJA3406_R1_00001
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT
CSD19536KTT
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Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT007N06N
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPT007N06N
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM013NM04LTL RAG
Taiwan Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 821-TSM013NM04LTLRAG
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Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP016N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-P016N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1.795 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
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SPW55N80C3
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-SPW55N80C3
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
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SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC028N06NSTATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-BSC028N06NSTATM1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
7.576 En existencias
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Carrete :5.000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
AFM907NT1
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Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
16.990 En existencias
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Chile
