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TO-3P-3 Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds IXTQ170N10P IXYS 1: $17.123 808En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ170N10P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ170N10P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	808En existencias	$17.123 $9.638 $9.479	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds IXTQ88N30P IXYS 1: $18.342 259En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ88N30P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ88N30P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	259En existencias	$18.342 $10.402 $10.356	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba 1: $4.546 5.466En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2SA1943N(S1,E,S) N.º de artículo de Mouser 757-2SA1943N(S1ES)	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ Obtenga más información sobre Toshiba bipolar transistors	Hoja de datos	5.466En existencias	$4.546 $2.347 $1.891 $1.743 Ver $1.618 $1.515	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W NJW0281G onsemi 1: $5.218 3.534En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW0281G N.º de artículo de Mouser 863-NJW0281G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W	Hoja de datos	3.534En existencias	$5.218 $2.996	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 60	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W NJW0302G onsemi 1: $5.320 2.660En existencias 630Se espera el 16-04-2027	N.º de artículo del Fabricante NJW0302G N.º de artículo de Mouser 863-NJW0302G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W	Hoja de datos	2.660En existencias 630Se espera el 16-04-2027	$5.320 $3.087	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 60	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP NJW1302G onsemi 1: $6.870 5.870En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW1302G N.º de artículo de Mouser 863-NJW1302G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP	Hoja de datos	5.870En existencias	$6.870 $3.942	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 60	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP NJW21193G onsemi 1: $5.788 1.104En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW21193G N.º de artículo de Mouser 863-NJW21193G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP	Hoja de datos	1.104En existencias	$5.788 $3.247	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN NJW21194G onsemi 1: $5.788 857En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW21194G N.º de artículo de Mouser 863-NJW21194G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN	Hoja de datos	857En existencias	$5.788 $3.247	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO NJW3281G onsemi 1: $6.403 2.463En existencias	N.º de artículo del Fabricante NJW3281G N.º de artículo de Mouser 863-NJW3281G	onsemi	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO	Hoja de datos	2.463En existencias	$6.403 $3.931	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 60	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 2SA1943-O(S1,F Toshiba 1: $5.195 577En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2SA1943-O(S1,F N.º de artículo de Mouser 757-2SA1943-OS1F	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ	Hoja de datos	577En existencias	$5.195 $2.962 $2.951 $2.803 Ver $2.700 $2.609 $2.438	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors		Through Hole	TO-3P-3
IGBTs 600V/30A DIS GT30J121(Q) Toshiba 1: $5.275 131En existencias	N.º de artículo del Fabricante GT30J121(Q) N.º de artículo de Mouser 757-GT30J121(Q)	Toshiba	IGBTs 600V/30A DIS	Hoja de datos	131En existencias	$5.275 $3.486 $2.734 $2.017 $1.994	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET IXFQ20N50P3 IXYS 1: $9.296 617En existencias 1.055Se espera el 09-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IXFQ20N50P3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ20N50P3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS polarp3	Hoja de datos	617En existencias 1.055Se espera el 09-11-2026	$9.296 $5.822 $4.944 $4.238	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) IXFQ72N30X3 IXYS 1: $15.574 4En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFQ72N30X3 N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ72N30X3	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) Obtenga más información sobre IXYS x3 hiperfet mosfets	Hoja de datos	4En existencias	$15.574 $11.860 $8.829 $8.237	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds IXTQ10P50P IXYS 1: $11.666 117En existencias 420En pedido	N.º de artículo del Fabricante IXTQ10P50P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ10P50P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	117En existencias 420En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IXTQ10P50P Existencias: 117 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 30 Se espera el 09-11-2026 390 Se espera el 04-01-2027 Plazo de entrega de fábrica: 23 Semanas	$11.666 $6.312 $5.822 $5.742	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds IXTQ110N10P IXYS 1: $11.655 69En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ110N10P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ110N10P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	69En existencias	$11.655 $7.360 $5.651 $5.548	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds IXTQ14N60P IXYS 1: $8.283 219En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ14N60P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ14N60P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	219En existencias	$8.283 $4.329 $3.965 $3.657	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds IXTQ22N60P IXYS 1: $11.359 34En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ22N60P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ22N60P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	34En existencias	$11.359 $7.360 $5.651 $5.548	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds IXTQ26N50P IXYS 1: $11.359 262En existencias 300Se espera el 16-08-2027	N.º de artículo del Fabricante IXTQ26N50P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ26N50P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	262En existencias 300Se espera el 16-08-2027	$11.359 $6.129 $5.651 $5.548	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds IXTQ36N30P IXYS 1: $8.522 230En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ36N30P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ36N30P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	230En existencias	$8.522 $4.466 $4.090 $3.794	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET IXTQ460P2 IXYS 1: $9.923 115En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ460P2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ460P2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET Obtenga más información sobre IXYS polarp2 mosfets	Hoja de datos	115En existencias	$9.923 $5.286 $4.853 $4.637	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds IXTQ50N20P IXYS 1: $8.932 330En existencias 480En pedido	N.º de artículo del Fabricante IXTQ50N20P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ50N20P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	330En existencias 480En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IXTQ50N20P Existencias: 330 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 30 Se espera el 06-11-2026 450 Se espera el 09-11-2026 Plazo de entrega de fábrica: 21 Semanas	$8.932 $4.739 $4.341 $3.794	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds IXTQ52P10P IXYS 1: $12.213 250En existencias 300Se espera el 29-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IXTQ52P10P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ52P10P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	250En existencias 300Se espera el 29-12-2026	$12.213 $6.688 $6.175 $5.742	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds IXTQ75N10P IXYS 1: $8.522 128En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTQ75N10P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ75N10P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	128En existencias	$8.522 $4.466 $4.090 $3.794	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds IXTQ96N20P IXYS 1: $13.808 117En existencias 300Se espera el 01-03-2027	N.º de artículo del Fabricante IXTQ96N20P N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ96N20P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	117En existencias 300Se espera el 01-03-2027	$13.808 $7.599 $7.588 $7.155	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2SC5200N(S1,E,S) Toshiba 1: $4.227 734En existencias 7.250En pedido	N.º de artículo del Fabricante 2SC5200N(S1,E,S) N.º de artículo de Mouser 757-2SC5200N(S1ES)	Toshiba	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ Obtenga más información sobre Toshiba bipolar transistors	Hoja de datos	734En existencias 7.250En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: 2SC5200N(S1,E,S) Existencias: 734 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2.325 Se espera el 06-11-2026 4.925 Se espera el 15-03-2027 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	$4.227 $2.370 $1.914 $1.584	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-3P-3