TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 446
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
55En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
31En existencias
120Se espera el 31-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
48En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
24En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED DRIVER
Hoja de datos
51En existencias
1.500Se espera el 17-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
26En existencias
240Se espera el 10-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
210En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
81En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
Hoja de datos
73En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4
Hoja de datos
135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
66En existencias
450Se espera el 17-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
46En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs 650V/75 FAST IGBT
Hoja de datos
200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Hoja de datos
435En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
Hoja de datos
13En existencias
450Se espera el 29-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1