TO-247-3 Semiconductores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 500V 0.1 Rds 498En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS 239En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds 216En existencias
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IXYS IGBTs PLUS247 1200V 110A GENX4 198En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N 366En existencias
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WeEn Semiconductors Diodos Schottky de SiC WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK 1.419En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III 639En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3 526En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 1.782En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 509En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO247 680En existencias
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 7 500 V 140 mOhm TO-247 520En existencias
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STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X15 Amp 45 Volt 2.043En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH 898En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5 1.351En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package 2.561En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1.718En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5 1.060En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 706En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l 381En existencias
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onsemi IGBTs 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT 342En existencias
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IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC 1.816En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds 340En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds 320En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds 261En existencias
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